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高频平面变压器绕组损耗新型计算方法

2019-08-06 09:18:21 来源:电子变压器与电感网

本文对高频平面绕组损耗的产生机理及电磁场分布进行理论分析,基于Maxwell电磁场微分方程,推导计算平面绕组损耗一维模型,并分析一维模型计算精度低的主要原因。在传统一维模型基础上考虑矩形导体边缘效应,通过对导体二维磁场正交分解的方法,建立基于二维模型的平面绕组损耗的理论计算公式。

      当今开关电源“短、小、轻、薄”的发展趋势,要求磁性元件具有呈高度扁平状的结构,平面变压器在国内外DCDC模块电源中得到了广泛的澳门永利网上娱乐[1]。为了减小开关电源中磁性元件的体积,需要不断地提高开关电源的工作频率,但是随着开关频率的提高,集肤效应和邻近效应引起的磁性元件绕组损耗明显增加。在平面磁性元件的设计过程中,为了快速得到平面磁性元件结构的最优设计,必须建立起完善的绕组损耗计算模型。
      国内外针对高频绕组损耗进行的不少相关方面的研究,文献[2]最早提出了计算绕组损耗的一维模型,文献[3][4]提出了一维条件下,高频绕组集肤效应与邻近效应的正交性,文献[5]分析了集肤效应和邻近效应各自随工作频率、绕组厚度和绕组排布方式的不同对磁性元件绕组损耗的影响。但是这些研究主要针对于一维模型进行分析,忽略导体厚度,认为导体内部磁场强度仅是一维位置向量,忽略了磁场强度的另一纵轴分量,与实际的绕组损耗模型存在较大的差距。文献[6]提出了高频平面变压器绕组具有边缘效应的影响,通过有限元仿真给出磁性元件中绕组最佳位置及绕组间最佳距离。但是并没有给出具体的理论依据和计算方法。
      本文针对平面磁性元件的矩形截面绕组,推导传统一维模型,并利用有限元仿真数据,分析传统一维模型计算精度低的主要原因。文章基于Maxwell电磁场微分方程,建立高频矩形截面导体交流损耗理论计算的二维模型,考虑了长导体边缘效应的影响及绕组排布方式对磁场分布影响,建立起修正的绕组损耗理论计算模型,最后通过有限元仿真数据验证二维模型计算方法的准确性和高精度。

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